Il sistema FPA-1200NZ2C di Canon (dal sito corporate di Canon)Canon ha annunciato oggi il lancio di una macchina per litografare semiconduttori con la tecnologia NIL nano imprint litography. Il prodotto si affianca ai sistemi già in catalogo ma offre una maggiore produttività. Invece di proiettare lo schema sul ‘wafer’ di silicone, il nuovo prodotto preme una maschera con impresso lo schema circuitale sul resist sul wafer come si farebbe con un timbro. Diventa possibile formare schemi circuitali complessi bi o tridimensionali in un’unica impronta, il che può ridurre i costi operativi.
La tecnologia NIL di Canon consente la creazione di pattern con una larghezza di linea minima di 5 nm, il leading edge della tecnologia ma il livello dei semiconduttori standard più avanzati. In futuro lo stesso sistema potrebbe arrivare a 2 nm.
Stando al comunicato della società Il nuovo prodotto utilizza una tecnologia di controllo ambientale di nuova concezione che elimina la contaminazione da particelle fini nell’apparecchiatura.
Ciò consente l’allineamento ad alta precisione necessario per la produzione di semiconduttori con un numero crescente di strati e la riduzione dei difetti dovuti alle particelle fini, e consente la formazione di circuiti fini e complessi, contribuendo alla produzione di dispositivi a semiconduttore all’avanguardia .
Poiché il nuovo prodotto non richiede una sorgente luminosa con una lunghezza d’onda speciale per i circuiti sottili, può ridurre significativamente il consumo energetico rispetto alle apparecchiature di fotolitografia per i semiconduttori logici più avanzati attualmente disponibili, contribuendo così alla riduzione della CO2.
Con questa tecnologia Canon entra in concorrenza con i leader del settore quali la olandese ASML che utilizza una tecnologia differente: la exreme ultraviolet litography.
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